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非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過(guò)對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過(guò)熱波在涂層中向深處傳播，這一...

非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過(guò)對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過(guò)熱波在涂層中向深處傳播，這一...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的厚度測(cè)量是至關(guān)重要的一環(huán)，它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿(mǎn)足高精度測(cè)量的需求，我們研發(fā)了一款對(duì)射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測(cè)量設(shè)...

金剛石膜檢測(cè)與測(cè)試報(bào)告 檢測(cè)項(xiàng)目 金剛石膜的檢測(cè)項(xiàng)目主要包括以下幾個(gè)方面：膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。

硅片厚度測(cè)試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測(cè)量技術(shù)，如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中，反射率法是通過(guò)測(cè)量不同角度下光線的反射率變化來(lái)計(jì)算硅片厚...

主要利用結(jié)光電壓技術(shù)非接觸測(cè)試具有P/N或N/P結(jié)構(gòu)的樣品的方阻(發(fā)射極薄層方阻），本儀器為非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接...

金屬薄膜方阻測(cè)試儀：金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱(chēng)膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測(cè)量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻...

硅片電阻率測(cè)試儀：電阻率（resistivity）是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長(zhǎng)度，...

無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀包含一個(gè)渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng)。電渦流技術(shù)不依...

PN型測(cè)試儀可以測(cè)試硅片PN型號(hào)、硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素，因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn)，因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程...

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控...