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九域半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
中級會(huì)員 | 第2年

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  • 碳化硅氮化鎵氧化鎵晶圓厚度TTV測試儀

    碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等,具體取決于其應(yīng)用場景和制造工藝。例如,碳化硅晶圓片的厚度可以達(dá)到130微米(um),而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/6/9 17:27:30 對比
    厚度TTV晶圓碳化硅氮化鎵氧化鎵
  • 藍(lán)寶石厚度TTV測試儀

    非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/4/30 15:07:16 對比
    厚度藍(lán)寶石晶圓TTV非接觸
  • 非接觸硅片厚度TTV測試儀

    非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/4/30 14:07:09 對比
    非接觸厚度TTV硅片晶圓
  • 非接觸厚度TTV測試儀

    非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/4/30 14:03:18 對比
    厚度TTV非接觸晶圓硅片
  • 晶圓厚度TTV測試儀

    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓的厚度測量是至關(guān)重要的一環(huán),它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿足高精度測量的需求,我們研發(fā)了一款對射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測量設(shè)...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/4/14 15:22:49 對比
    晶圓厚度TTV半導(dǎo)體硅片
  • 金剛石厚度TTV測試儀

    金剛石膜檢測與測試報(bào)告 檢測項(xiàng)目 金剛石膜的檢測項(xiàng)目主要包括以下幾個(gè)方面:膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/4/14 15:17:12 對比
    厚度金剛石硅片TTV晶圓半導(dǎo)體
  • 硅片厚度TTV測試儀

    硅片厚度測試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測量技術(shù),如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中,反射率法是通過測量不同角度下光線的反射率變化來計(jì)算硅片厚...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/4/14 15:08:41 對比
    硅片TTV厚度非接觸晶圓半導(dǎo)體
  • 非接觸半絕緣方阻測試儀

    非接觸式半絕緣方阻測量技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,比如材料表面導(dǎo)電性測試、薄膜導(dǎo)電性測量、電路板測試等。它具有測量快速、精度高、不損傷被測物體等優(yōu)點(diǎn)。

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/3/29 11:58:47 對比
    方阻半絕緣電容法高阻非接觸
  • 非接觸半絕緣電阻率測試儀

    半絕緣電阻率通常介于1-1000歐姆·厘米之間,是描述半絕緣材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)。這種材料在電子工業(yè)中應(yīng)用廣泛,特別是在制造半導(dǎo)體器件、絕緣層和光電...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/3/29 11:50:23 對比
    半絕緣非接觸電阻率硅片碳化硅
  • 玻璃電阻率方阻測試

    玻璃領(lǐng)域 半導(dǎo)體玻璃的電阻率及某些物理化學(xué)性質(zhì)在光、電、熱等作用下可發(fā)生顯著改變,從而賦予其的性能。半導(dǎo)體玻璃已廣泛應(yīng)用于光電倍增器、存儲(chǔ)器件、電子開關(guān)等領(lǐng)域。

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/3/22 10:20:42 對比
    玻璃電阻率非接觸方阻半導(dǎo)體
  • 非接觸式晶錠電阻率測試儀

    晶錠與晶片在半導(dǎo)體行業(yè)中扮演著不同的角色,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在形態(tài)、制備方式及應(yīng)用領(lǐng)域上。首先,晶錠,或稱為單晶硅棒,是一種長條狀的半導(dǎo)體材料,通常采用特定...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/3/1 9:48:38 對比
    晶錠非接觸電阻率方阻少子壽命
  • 光伏電池片方阻測試

    隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的提升已成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在光伏電池片的生產(chǎn)中,方阻檢測是確保電池片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。傳統(tǒng)的方阻檢測方法大多...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:55:02 對比
    太陽能光伏方阻電池片電阻率SPV表面光電壓
  • SPV表面光電壓方阻測試

    主要利用結(jié)光電壓技術(shù)非接觸測試具有P/N或N/P結(jié)構(gòu)的樣品的方阻(發(fā)射極薄層方阻),本儀器為非接觸,非損傷測試,具有測試速度快,重復(fù)性佳,測試敏感性高,可以直接...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:53:04 對比
    SPV表面光電壓方阻電池片表面方阻電阻率
  • 非接觸霍爾遷移率

    在霍爾效應(yīng)傳感器中,自由電子的移動(dòng)能力通過遷移率來量化,這是衡量電子在材料中移動(dòng)難易程度的關(guān)鍵指標(biāo)。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:50:53 對比
    非接觸霍爾遷移率微波法電阻率半導(dǎo)體
  • 微波法霍爾遷移率

    在霍爾效應(yīng)傳感器中,自由電子的移動(dòng)能力通過遷移率來量化,這是衡量電子在材料中移動(dòng)難易程度的關(guān)鍵指標(biāo)。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:49:12 對比
    微波法非接觸霍爾遷移率半導(dǎo)體遷移率
  • 微波法少子壽命

    即少數(shù)載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導(dǎo)體中產(chǎn)生直到消失的時(shí)間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子(因?yàn)?..

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:47:14 對比
    少子壽命渦流法非接觸式方阻電阻率
  • 外延電阻率方阻測試儀

    外延電阻率方阻測試儀:外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。在bipolar工藝中,硅片最底層是P型襯底硅(有的加點(diǎn)埋層);然后在襯底上生長一層單晶硅,這層單晶硅稱為外延...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:45:02 對比
    外延片電阻率方阻測試儀渦流法電阻率半導(dǎo)體
  • 襯底電阻率方阻測試儀

    襯底電阻率方阻測試儀:襯底,或稱基片(substrate),是指在半導(dǎo)體器件制造過程中用來支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度、...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:42:58 對比
    襯底電阻率方阻渦流法四探針
  • 玻璃方阻測試儀

    玻璃方阻測試儀應(yīng)用ITO導(dǎo)電玻璃的時(shí)候,往往會(huì)提到一個(gè)重要的參數(shù),這個(gè)參數(shù)就是:方阻,也稱方塊電阻。同時(shí),我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:41:08 對比
    玻璃方阻渦流法電阻率晶圓缺陷
  • 金屬薄膜方阻測試儀

    金屬薄膜方阻測試儀:金屬薄膜方阻,方塊電阻又稱膜電阻,是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值,該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻...

    型號: 所在地:蘇州市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2025/2/18 11:39:18 對比
    技術(shù)薄膜方阻渦流法非接觸晶圓缺陷

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