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碳化硅的電阻率測(cè)試

來(lái)源:九域半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司   2024年11月09日 13:53  

碳化硅半導(dǎo)體材料屬Ⅳ族化合物半導(dǎo)體。為共價(jià)鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦型兩種結(jié)晶形式。?碳化硅的電阻率范圍?通常在0.005Ω·cm到200Ω·cm之間。?

測(cè)量方法

?非接觸渦流法?是一種常用的測(cè)量導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率的方法。這種方法適用于200μm到1000μm厚的碳化硅單晶片,能夠測(cè)量電阻率在0.005Ω·cm到200Ω·cm和表面電阻在0.032 Ω/□到3000Ω/□的范圍內(nèi)的樣品。

影響因素

碳化硅的電阻率受其純度和雜質(zhì)含量的影響。純度越高,雜質(zhì)含量越少,電阻率越高。此外,碳化硅的制備方法和處理過(guò)程也會(huì)對(duì)其電阻率產(chǎn)生影響。例如,不同的制備方法可能導(dǎo)致碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷不同,從而影響其電學(xué)性能。


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