Epiluvac ER3-C1 SiC分子外延系統(tǒng)
- 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 Veeco
- 型號 Epiluvac ER3-C1
- 產(chǎn)地 美國
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2025/6/6 11:29:12
- 訪問次數(shù) 398
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Epiluvac ER3-C1
晶圓直徑可達(dá) 200 mm （8“）
通過熱壁拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實現(xiàn)出色的均勻性
優(yōu)良的動態(tài)氣體流量控制，可實現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。
具有多個加熱區(qū)的出色溫度曲線
不含石英，適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進(jìn)行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命
模塊化設(shè)計，兩個、三個或四個反應(yīng)器組成集群配置。每個反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進(jìn)行了優(yōu)化
在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進(jìn)行晶圓運(yùn)輸
高達(dá) 1800 °C
適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)
Epiluvac EPI 1000-C：
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動裝載
非常適合研發(fā)
Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本
可選的原位監(jiān)測
獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲
Epiluvac ER3-C1：
晶圓直徑可達(dá) 200 mm （8“）
通過熱壁拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實現(xiàn)出色的均勻性
優(yōu)良的動態(tài)氣體流量控制，可實現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。
具有多個加熱區(qū)的出色溫度曲線
不含石英，適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進(jìn)行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命
模塊化設(shè)計，兩個、三個或四個反應(yīng)器組成集群配置。每個反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進(jìn)行了優(yōu)化
在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進(jìn)行晶圓運(yùn)輸
高達(dá) 1800 °C
適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)
Epiluvac EPI 1000-C：
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動裝載
非常適合研發(fā)
Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本
可選的原位監(jiān)測
獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲
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