實際案例

1. 光刻后清洗：
• 背景：某半導(dǎo)體制造工廠在光刻后使用傳統(tǒng)的超聲波清洗工藝，良品率約為80%。
• 改進(jìn)：引入SONOSYS兆聲波噴嘴，頻率選擇2 MHz，清洗時間15分鐘。
• 結(jié)果：清洗后的晶圓表面潔凈度顯著提高，良品率提升了15%，達(dá)到95%。
2. 蝕刻后清洗：
• 背景：某工廠在蝕刻后使用傳統(tǒng)清洗方法，良品率約為75%。
• 改進(jìn)：采用SONOSYS兆聲波噴嘴，頻率選擇3 MHz，清洗時間20分鐘。
• 結(jié)果：蝕刻殘留物和副產(chǎn)物被有效去除，良品率提升了10%，達(dá)到85%。
3. 薄膜沉積后清洗：
• 背景：某工廠在薄膜沉積后使用傳統(tǒng)清洗方法，良品率約為82%。
• 改進(jìn)：采用SONOSYS兆聲波噴嘴，頻率選擇4 MHz，清洗時間10分鐘。
• 結(jié)果：薄膜沉積過程中產(chǎn)生的顆粒和雜質(zhì)被有效去除，良品率提升了8%，達(dá)到90%。

一般性數(shù)據(jù)

• 污染物類型：如果污染物是納米級顆?；螂y以去除的有機物，使用兆聲波噴嘴的效果更為顯著。
• 清洗參數(shù)：合適的頻率、清洗時間和溫度是關(guān)鍵。例如，高頻（如4 MHz或5 MHz）適用于清洗納米級顆粒，低頻（如1 MHz或2 MHz）適用于清洗較大顆粒。
  
• 晶圓材料：不同材料的晶圓對清洗工藝的敏感度不同，需要根據(jù)具體材料選擇合適的清洗參數(shù)。

總結(jié)