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KT-Z4019MRL4T 國(guó)產(chǎn)手動(dòng)高溫真空探針臺(tái) 晶圓檢測(cè) 氣敏測(cè)試
EBAC/RCI 原理和應(yīng)用-Kleindiek EBIC放大器
EBAC（Electron Beam Absorbed Current）
RCI（Resistive Contrast Imaging）
芯片工藝進(jìn)入 55 納米/65 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，EBAC 技術(shù)被引入并得到迅速發(fā)展?，F(xiàn)如今，EBAC、RCI已成為芯片失效分析（failure analysis, FA）的主要工具之一，用于IC線路的短路，斷路，高阻缺陷的隔離和精確定位。
原理：
為了探測(cè)芯片的特定電路區(qū)域，EBAC 系統(tǒng)配備了納米探針和掃描電子顯微鏡 (SEM)。當(dāng)電子束（primary electron beam）穿透樣品表面時(shí)，電子流可通過(guò)金屬探針所吸收，經(jīng)放大器放大，并通過(guò)SEM形成 EBAC 圖像。
電子流的穿透深度取決于掃描電鏡的加速電壓（acceleration voltage）和樣品的材料特性。電子束吸收電流流入金屬/通孔（Metal/Via）結(jié)構(gòu)，然后由探頭測(cè)量。如果金屬/通孔鏈斷裂或打開(kāi)，則可通過(guò)疊加在SEM圖像上的EBAC圖像的突然變化來(lái)精確定位定位。
對(duì)于某些高電阻結(jié)構(gòu)（部分于通孔連接），單個(gè)探針無(wú)法定位此類(lèi)缺陷。因此，在 EBAC 技術(shù)中需要兩個(gè)探頭，即電阻對(duì)比成像（Resistive contrast imaging，RCI）。
結(jié)果：
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