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上海伯東離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用
應(yīng)用于研究監(jiān)測(cè)土壤的力學(xué)結(jié)構(gòu)變化, 一般用于山體, 巖石和凍土等環(huán)境研究的物理量傳感器 MEMS, 這種傳感器的制造一般需要經(jīng)過(guò)鍍膜, 沉積, 刻蝕等工藝多次循環(huán), 金 Au 和 鉑 Pt 是傳感器加工中常用的涂層, 在完成鍍膜后, 蝕刻是制造微型結(jié)構(gòu)的重要工藝之一, 用傳統(tǒng)的刻蝕工藝 ( 濕法刻蝕, ICP 刻蝕和 RIE 刻蝕) 常常無(wú)法有效的刻蝕出所需的圖形.
上海伯東日本進(jìn)口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質(zhì)或惰性材料.
上海伯東離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕方案.
刻蝕材料: 4寸 物理量傳感器 MEMS (表面鍍 金 Au 和 鉑 Pt)
刻蝕均勻性要求: ≤±5%
刻蝕難點(diǎn): Au 和 Pt 反應(yīng)離子刻蝕 RIE 無(wú)法滿足要求
刻蝕設(shè)備: 10 IBE
因客戶信息保密, 10 IBE 部分刻蝕數(shù)據(jù)結(jié)果如下:
離子束刻蝕機(jī) 10 IBE 主要技術(shù)參數(shù):
基板尺寸 | 4寸 |
|
樣品臺(tái) | 干式橡膠卡盤+直接冷卻（水冷）+0-±90 度旋轉(zhuǎn) | |
離子源 | 考夫曼源 Well-2100（柵網(wǎng)φ100mm） | |
均勻性 | ≤5%（4寸 Si晶圓） | |
刻蝕速率 | 20nm/min （Si 晶圓） | |
真空度 | 1E-3Pa（45min內(nèi)） | |
真空系統(tǒng) | 干泵 + 德國(guó) Pfeiffer 分子泵 |
圖片僅供參考
上海伯東日本進(jìn)口離子束刻蝕機(jī)推薦應(yīng)用:
類別 | 器件 | 刻蝕材料 |
磁性器件 | 自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD | Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
傳感器 MEMS | 鉑熱電阻, 流量計(jì), 紅外傳感器, 壓電打印機(jī)頭等 | PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
RF 射頻器件 | 射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 | Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
光電子 | 激光二極管, 光電探測(cè)器, 薄膜分裝等 | Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
其他 | 探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導(dǎo)等 | NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 |
上海伯東日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī) IBE, 提供微米級(jí)刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子蝕刻機(jī). 蝕刻機(jī)可配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵和美國(guó) KRi 考夫曼離子源!
伯東公司超過(guò) 50年的刻蝕 IBE 市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!
若您需要進(jìn)一步的了解離子束蝕刻機(jī)詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐
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