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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
華測(cè)儀器助力耐電痕無(wú)鹵阻燃測(cè)試
半導(dǎo)體電子環(huán)氧塑封料（EMC）的耐電痕無(wú)鹵阻燃測(cè)試
目前硅基半導(dǎo)體芯片所使用的封裝材料主要是環(huán)氧塑封料（EMC），對(duì)其電學(xué)性能的測(cè)試除了高低溫介電溫譜（介電常數(shù)）、常溫高溫電場(chǎng)強(qiáng)度（電擊穿）及常溫高溫絕緣電阻（體積電阻率）測(cè)試以外，耐電痕無(wú)鹵阻燃也是非常重要的電學(xué)性能指標(biāo)之一。
電痕是指電應(yīng)力和電解雜質(zhì)在相互作用下會(huì)在材料的表面（或內(nèi)部）產(chǎn)生導(dǎo)電通道。耐局部放電特性和耐電痕絕緣設(shè)計(jì)對(duì)EMC來(lái)說(shuō)十分重要，因?yàn)楫?dāng)EMC內(nèi)部出現(xiàn)未填充區(qū)域或空隙時(shí)，不僅會(huì)導(dǎo)致其絕緣強(qiáng)度下降，還會(huì)因?yàn)榭障吨须姾傻募卸a(chǎn)生局部放電，導(dǎo)致EMC性能劣化并對(duì)芯片產(chǎn)生破壞。衡量EMC耐電痕特性的指標(biāo)是相比電痕化指數(shù)（CTI），按照絕緣材料的CTI指標(biāo)范圍可將其分為5類，只有CTI≥600V的EMC才可應(yīng)用于功率電子器件的封裝。當(dāng)然，無(wú)論是功率電子器件還是常規(guī)半導(dǎo)體器件，EMC的無(wú)鹵阻燃特性是不變的。
北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司所生產(chǎn)的HCDH-2耐漏電起痕試驗(yàn)儀被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源、家用電器等行業(yè)，符合GB/T4207、IEC60112、IEC60335、UL746A等標(biāo)準(zhǔn)。一體化機(jī)身設(shè)計(jì)，采用10寸觸控屏控制，智能程度高，可實(shí)現(xiàn)試驗(yàn)過(guò)程的無(wú)人化操作；鉑金電極和全向可調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)配合精準(zhǔn)的試驗(yàn)電壓電流（±1%）使得試驗(yàn)數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。
