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半導(dǎo)體硅片測厚儀:應(yīng)用

閱讀:162      發(fā)布時(shí)間:2025-4-24
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  本文由濟(jì)南賽成電子科技有限公司提供

  半導(dǎo)體硅片測厚儀是用于精確測量硅片厚度及其均勻性的關(guān)鍵設(shè)備,對芯片制造過程中的工藝控制(如研磨、拋光、外延生長等)至關(guān)重要。

  一、半導(dǎo)體硅片測厚儀簡介

  半導(dǎo)體硅片測厚儀采用機(jī)械接觸式測量方式,嚴(yán)格符合標(biāo)準(zhǔn)要求,有效保證了測試的規(guī)范性和準(zhǔn)確性。專業(yè)適用于量程范圍內(nèi)的塑料薄膜、薄片、隔膜、紙張、箔片、硅片等各種材料的厚度精確測量。

  二、半導(dǎo)體硅片測厚儀應(yīng)用領(lǐng)域

  1. 工藝控制的核心環(huán)節(jié)

  晶圓制備階段

  確保切片后的硅片厚度均勻,避免后續(xù)研磨/拋光過量或不足。

  檢測TTV和LTV,減少因厚度不均導(dǎo)致的應(yīng)力集中或破裂風(fēng)險(xiǎn)。

  薄膜沉積與刻蝕

  監(jiān)控外延層、氧化層等薄膜厚度(如Epi層需控制在1~10μm±0.1μm),直接影響器件電性能(如MOSFET溝道遷移率)。

  CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)

  實(shí)時(shí)反饋拋光厚度,防止過拋導(dǎo)致硅片報(bào)廢(每片300mm硅片成本可達(dá)數(shù)百美元)。

  2. 提升器件性能與良率

  電學(xué)參數(shù)一致性

  厚度偏差會(huì)導(dǎo)致寄生電容變化,影響高頻器件(如RF芯片)的截止頻率(??fT)。

  功率器件(如IGBT)的擊穿電壓與硅片厚度直接相關(guān)(如1200V器件需~150μm厚硅片)。

  3D集成與先進(jìn)封裝

  硅通孔(TSV)工藝中,硅片減薄至50~100μm時(shí),厚度誤差需<±1μm,否則導(dǎo)致互聯(lián)失效。


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