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    化學機械拋光（CMP）是用于半導體制造中晶圓表面拋光的一種工藝。它使用含有納米顆粒和功能性化學品的漿料。二氧化鈰（CeO₂）顆粒常用在CMP 漿料中，漿料中這些顆粒的粒徑影響重大。工作（或平均）尺寸范圍內(nèi)的顆粒能夠去除目標物，但超過工作尺寸范圍的較大顆粒可能刮擦或鑿壞晶圓表面，導致機械損傷，進而降低半導體成品良率。少量較大顆粒即可造成損傷，因此在使用之前表征CMP 漿料混合物和磨料原料以確定大顆粒數(shù)量或濃度（LPC）是非常有必要的。LPC 結(jié)果可用于分析為什么一些漿料樣品比其他的更容易造成缺陷，以及哪些磨料原料批次更適合用于CMP。對粒徑分布進行詳細的分析對于磨料制造也具有重要意義，因為它有助于優(yōu)化降低LPC 的工藝，并且可以精確地比較去除LPC 的精制技術(shù)。

 

    相比傳統(tǒng)顆粒分析技術(shù)，SP-ICP-MS能夠在更短時間內(nèi)確定低顆粒濃度。此外，SP-ICP-MS對特定金屬類型顆粒具有選擇性，因此粒徑結(jié)果不受漿料中的化學組分或其他元素組成顆粒的影響。本項研究探討了在平均粒徑（MPS）基礎(chǔ)上，使用SP-ICP-MS量化LPC的應用。