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在諸多挑戰(zhàn)當(dāng)中，對(duì)于2nm/3nm工藝的競(jìng)逐或?qū)⒊蔀槲磥砣蟀雽?dǎo)體廠商面臨的重大挑戰(zhàn)。隨著5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)相關(guān)應(yīng)用的帶動(dòng)，未來幾年市場(chǎng)對(duì)高性能、低功耗芯片的需求將不斷增長(zhǎng)，也就更加需要先進(jìn)工藝的支撐。2nm/3nm有可能成為三大半導(dǎo)體廠商在代工領(lǐng)域角力的一個(gè)“勝負(fù)手"。
按照規(guī)劃，三星電子將于2022年上半年開始生產(chǎn)3nm芯片，第二代3nm芯片預(yù)計(jì)將于2023年開始生產(chǎn)，2025年推出2nm工藝。臺(tái)積電的計(jì)劃則是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝，2nm工藝將在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在英特爾的技術(shù)路線圖中，相當(dāng)于7nm的Intel 4預(yù)計(jì)在2022年下半年投產(chǎn)。Intel 3將具備更多功能，并在每瓦性能上實(shí)現(xiàn)約18%的提升，預(yù)計(jì)在2023年下半年投產(chǎn)。Intel 20A通過RibbonFET和PowerVia這兩項(xiàng)技術(shù)開啟埃米時(shí)代，將在每瓦性能上實(shí)現(xiàn)約15%的提升，并將于2024年上半年投產(chǎn)。Intel 18A在每瓦性能上將實(shí)現(xiàn)約10%的提升，預(yù)計(jì)在2024年下半年投產(chǎn)?？梢钥闯觯皆谙冗M(jìn)工藝上都咬得很緊。
針對(duì)未來的發(fā)展，莫大康認(rèn)為，隨著英特爾的強(qiáng)勢(shì)介入，代工領(lǐng)域頭部陣營(yíng)或?qū)⒊尸F(xiàn)臺(tái)積電居首、英特爾居次、三星第三的新格局。臺(tái)積電在代工領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)十分明顯，短期內(nèi)很難有人能夠撼動(dòng)。三星目前雖然位居代工市場(chǎng)的第二位，但是三星同時(shí)也是大的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商，這就要求三星在存儲(chǔ)領(lǐng)域同樣保持大量資本支出，以維持地位不動(dòng)搖，很難有更大的力量投入邏輯芯片代工。而英特爾在邏輯芯片制造方面具有強(qiáng)大的實(shí)力，其每年的研發(fā)投入均居全球半導(dǎo)體廠商。同時(shí)，英特爾在封裝技術(shù)上亦有著不弱于臺(tái)積電的實(shí)力，盡管其在前道工藝上暫時(shí)落后。因而，英特爾一旦決心投入代工市場(chǎng)，發(fā)展?jié)摿Σ蝗莺鲆暋！按饲霸诨鶐酒咸O果就曾與英特爾有著密切的合作。一旦在2nm/3nm工藝發(fā)展起來，未來英特爾代工同樣擁有著爭(zhēng)奪蘋果訂單的實(shí)力。"莫大康強(qiáng)調(diào)。
