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北京航天易達(dá)儀器設(shè)備有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第4年

13520020446

半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀

參   考   價(jià): 28000

訂  貨  量: ≥1  臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)BD-86A

品       牌航天易達(dá)

廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2025-04-01 11:20:00瀏覽次數(shù):1741次

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BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)試原理研制成功的新型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試器,適合半導(dǎo)體器件廠(chǎng)、材料廠(chǎng)用于測(cè)量半導(dǎo)體材料(片狀、棒狀)的體電阻率、方塊電阻(薄層電阻),也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻、導(dǎo)電薄層電阻,具有測(cè)量精度高、范圍廣、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。

一、概述

  BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)試原理研制成功的新型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試器,適合半導(dǎo)體器件廠(chǎng)、材料廠(chǎng)用于測(cè)量半導(dǎo)體材料(片狀、棒狀)的體電阻率、方塊電阻(薄層電阻),也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻、導(dǎo)電薄層電阻,具有測(cè)量精度高、范圍廣、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。

  儀器分為電氣箱和測(cè)試架兩大部分,電氣箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表,高穩(wěn)定、高精度的恒流源和高性能的電源變換裝置組成,測(cè)量結(jié)果由LED數(shù)字顯示,零位穩(wěn)定,輸入阻抗。在片狀材料測(cè)試時(shí),具有系數(shù)修正功能,使用方便。測(cè)試架分為固定式和手持式兩種,探頭的探針具有寶石導(dǎo)向,測(cè)量精度高、游移率小、耐磨和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),而且探針壓力可調(diào),特別適合薄片材料的測(cè)量。

  二、主要技術(shù)指標(biāo)

  1.測(cè)量范圍:

  電阻率:10-3--103Ω㎝(可擴(kuò)展到105Ω㎝),分別率10-4Ω㎝。

  方塊電阻:10-2--104Ω/□(可擴(kuò)展到106Ω/□),分辨率10-3Ω/□。

  薄層金屬電阻:10-4--105Ω,分辨率10-4Ω。

  2.數(shù)字電壓表:

  電壓表量程為3檔,分別是20mV檔(分辨率10μV);200mV檔(分辨率100μV);2V檔(分辨率1mV)。電壓表測(cè)量誤差±0.3%讀數(shù)±1字,輸入阻抗大于109Ω。

  3.恒流源:

  恒流源由交流供電,輸出直流電流0---100mA連續(xù)可調(diào)。恒流源量程為5檔,分別是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA;分辨率對(duì)應(yīng)是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。電流誤差±0.3%讀數(shù)±2字。

  4.測(cè)試架:(可選件)

  測(cè)試架分為固定和手持兩種,可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸為直徑Φ15--Φ600㎜。測(cè)試探頭探針間距S=1㎜,探針機(jī)械游移率±0.3%,探針壓力可調(diào)。

  5.顯示:3?位LED數(shù)字顯示0-1999,能自動(dòng)顯示單位、小數(shù)點(diǎn)、極性、過(guò)載。

  6.電性能:電性能模擬考核誤差﹤±0.3%,符合ASTM規(guī)定指標(biāo)。

  7.電源:220V±10%,50Hz或60Hz,功耗﹤30W。

  8.電氣箱外形尺寸:440×320×120㎜。

  三、工作原理

  直流四探針?lè)y(cè)試原理簡(jiǎn)介如下:

 ?。?)體電阻率測(cè)量:

  如圖:當(dāng)1、2、3、4根金屬探針排成一直線(xiàn)時(shí),并以一定壓力壓在半導(dǎo)體試樣上,在1、4兩處探針間通過(guò)電流I,則2、3探針間產(chǎn)生電壓差V。

  材料的電阻率ρ=(V/I)×C (Ω㎝) 3-1

  式3-1中:C為探針系數(shù),由探針幾何位置決定,當(dāng)試樣電阻率分布均勻,試樣尺寸滿(mǎn)足半無(wú)限大條件時(shí),

  C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3)}=2πFSP 3-2

  式3-2中:S1、S2、S3分別為探針1與2、2與3、3與4之間的距離。當(dāng)S1=S2=S3=1mm時(shí),則FSP=1,C=2π。若電流取I=C時(shí),

  電阻率ρ=V,可由數(shù)字電壓表直接讀出。

 ?、?、塊狀和棒狀晶體電阻率測(cè)量:由于塊狀和棒狀樣品外形尺寸與探針間距比較,合乎半無(wú)限大的邊界條件,電阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。

  ②、薄片電阻率測(cè)量:由于薄片樣品厚度和探針的間距相比,不能忽略。測(cè)量時(shí)要提供樣品的厚度、形狀和測(cè)量位置的修正系數(shù)。

  電阻率值可由下面公式得出:

  ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s) 3-3

  式中:ρ0 為塊形體電阻率,W為試片厚度,S為探針間距,G(W/S)為樣品厚度修正函數(shù),D(d/s)為樣品形狀和測(cè)量位置修正函數(shù)。

  ③、方塊電阻、薄層電阻測(cè)量:當(dāng)半導(dǎo)體薄層尺寸滿(mǎn)足半無(wú)限大平面條件時(shí):

  R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) 3-4

  若取I1=4.532I,則R□值可由電壓表直接讀出。

  注意:以上的測(cè)量都在標(biāo)準(zhǔn)溫度(230 C)下進(jìn)行,若在其他溫度環(huán)境中測(cè)量,應(yīng)乘以該材料的溫度修正系數(shù)FT。

  FT=1-CT(T230) 3-5

  式中:CT為材料的溫度系數(shù)。(請(qǐng)根據(jù)不同材料自行查找)

  (2)金屬電阻測(cè)試:本儀器也可用作金屬電阻的測(cè)量,采用四端子電流-電壓降法,能方便的測(cè)量金屬電阻R,測(cè)量范圍從100μΩ---200K

  四、 半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀

儀器結(jié)構(gòu)

  本儀器為臺(tái)式結(jié)構(gòu),分為電氣箱和測(cè)試架兩大部分。

  【1】電氣箱為儀器主要電器部分,電氣箱前面板如圖4-1所示:

 

638055833076402858207.jpg



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