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850±10nm單模VCSEL激光器
  • 850±10nm單模VCSEL激光器

貨物所在地:上海上海

更新時(shí)間:2025-01-23 21:00:07

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850±10nm單模VCSEL激光器:Philips借經(jīng)過優(yōu)化的光學(xué)特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇。創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)已對(duì)高階縱向與橫向模式加以抑制,同時(shí)具有線性偏振穩(wěn)定性。
850±10nm單模VCSEL激光器總覽

Philips借經(jīng)過優(yōu)化的光學(xué)特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇。創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)已對(duì)高階縱向與橫向模式加以抑制,同時(shí)具有線性偏振穩(wěn)定性。

850±10nm單模VCSEL激光器產(chǎn)品特點(diǎn)

● 內(nèi)部TEC和熱敏電阻

2 nm TEC的可調(diào)性

高斯型光束輪廓

對(duì)稱的高斯型光束輪廓顯著簡化應(yīng)用光學(xué)設(shè)計(jì)。

小光束發(fā)散角

發(fā)散角的范圍為 20° (1/e2),可重復(fù)再現(xiàn),方便激光光束傳導(dǎo)。

光譜寬度窄

憑借光譜寬度通常為 100 MHz 的激光線,此類激光器專為光譜應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

低功率消耗

由于功率消耗僅為數(shù)毫瓦,移動(dòng)應(yīng)用中可采用電池運(yùn)行。

TO46&TEC

特定工作條件:激光電流IOP = 2 mA 目標(biāo)波長 λt = 850 nm @ TOP (由TEC調(diào)節(jié))

封裝及尺寸

產(chǎn)品尺寸

tec1.png


tec.png

帶TEC管腳配置

pz.png

不帶TEC管腳定義

855.png

單位(mm

產(chǎn)品應(yīng)用

CPT原子鐘

光學(xué)相干實(shí)驗(yàn)

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

符號(hào)

最小值

典型值

大值

單位

備注

入射波長

λR

840

850

860

nm

T = 20°C, ITEC = 0, POP=   0.5 mW

閾值電流

ITH


0.50


mA

T = 20°C

輸出功率

Popt

0.50



mW

T = 0 … 50°C

閾值電壓

UTH


1.80


V


激光電流

IOP



2.0

mA

Popt = 0.5 mW

激光電壓

UOP


2.0


V

Popt = 0.5 mW

電光轉(zhuǎn)換率

ηWP


12


%

Popt = 0.5 mW

斜率效能

ηS


0.3


W/A

T = 20°C

微分串聯(lián)電阻

RS


250


Ω

Popt = 0.5 mW

3dB調(diào)制帶寬

ν3dB

0.10



GHz

Popt = 0.5 mW

(由于ESD防護(hù)二極管)

相對(duì)噪聲強(qiáng)度

RIN


-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

波長調(diào)諧電流



0.6


nm/mA


波長調(diào)諧溫度



0.06


nm/K


熱電阻

Rthermal

3


5

K/mW


邊模式抑制


30



dB


光束發(fā)散度

θ

10


25

°

Popt = 0.5 mW滿1/e2帶寬

光譜帶寬

Δν


100


MHz

Popt = 0.5 mW

TEC電流

ITEC



500

mA

需適當(dāng)散熱器

NTC熱敏電阻


9.5

10.0

10.5

T= 25°C,

NTC溫度依賴性


10/exp[3892·(1/298K-1/TOP)]


波長調(diào)諧TEC電流


0.008

nm/mA

TEC電流 < 200 mA


975.png

大值

● 儲(chǔ)存溫度                   -40~125°C

● 工作溫度                   -20~80°C

● 電功率損耗                5 mW

● 正向激光電流             2 mA

● 反向電流                   10 mA  

● 焊接溫度*                  270C°

● *TEC 溫度必須低于     150°C


光譜圖

高階模式被強(qiáng)烈抑制,光譜帶寬極窄

850nm VCSEL single-mode-vcsel-spectrum_9871c314c3.jpg

光束輪廓

單模 VCSEL 的遠(yuǎn)場(chǎng)光強(qiáng)分布*符合高斯模式

850nm single mode vcsel beam profil.jpg

LIVT 特性曲線

您將受益于較寬溫度范圍內(nèi)的線性性能和低閾值電流

LI.jpg

TEC電流調(diào)諧下的溫度/波長

LI2.png




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