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薄膜沉積技術(shù)多種多樣，如圖1所示，總體來說可以分為滲入法和沉積法。前者屬于高溫工藝，其工藝兼容性有限，通常作為半導(dǎo)體的前處理和結(jié)構(gòu)件的后處理手段；后者一般為常溫或者低溫沉積工藝，應(yīng)用廣泛。

圖1：典型的薄膜沉積工藝

基于青島芯笙微納電子科技有限公司MFC-C系列高精度質(zhì)量流量控制器，基于微機(jī)電技術(shù)進(jìn)行制造，流道大、壓損小、抗污染能力強(qiáng)，且長期穩(wěn)定性好，非常適合薄膜沉積工藝中的氣相沉積、高溫?cái)U(kuò)散，以及真空鍍膜領(lǐng)域。

圖2：真空鍍膜設(shè)備

產(chǎn)品推薦：

   青島芯笙MFC-C系列質(zhì)量流量控制器（Mass Flow Controller）是一款智能化、高精度的氣體質(zhì)量流量控制器產(chǎn)品，該產(chǎn)品配備有進(jìn)口電磁比例閥、316L 不銹鋼氣路座、高精度微機(jī)電流量芯片等，具有精度高、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。在輸出方面，可選擇：4-20mA 和 1-5V 模擬信號(hào)，以及 RS485 等數(shù)字通信方式。 此系列產(chǎn)品的量程從5SCCM到10SLM內(nèi)可選，典型精度為±1.0%F.S.，年漂移量≤1%FS。