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大明化學(xué)氧化鋁粉在電子制造行業(yè)的需求及優(yōu)勢
閱讀：715 發(fā)布時間：2024-9-7大明化學(xué)氧化鋁粉在電子制造行業(yè)的需求及優(yōu)勢
精細(xì)氧化鋁粉體通過對工業(yè)原材料的精密加工以適應(yīng)不同行業(yè)的應(yīng)用需求，其主要以工業(yè)氧化鋁為原料，通過提純、煅燒、研磨、均化、分級等加工工序，控制粉體晶體形貌、晶相轉(zhuǎn)化率、粒徑與分布、敏感特定元素、表面性能及活性等技術(shù)指標(biāo)，使其具備絕緣、耐高溫、高導(dǎo)熱及化學(xué)性能穩(wěn)定等特點，可滿足不同下游領(lǐng)域的具體材料應(yīng)用需求。目前，精細(xì)氧化鋁粉體作為電子材料的應(yīng)用越來越受到重視，是生產(chǎn)電子陶瓷器件、電子玻璃、鋰電池隔膜、高壓電器、晶圓研磨拋光材料等產(chǎn)品的重要基礎(chǔ)材料，終端應(yīng)用覆蓋了集成電路、消費電子、電力工程、電子通訊、新能源汽車、平板顯示、光伏發(fā)電等多個國家大力發(fā)展的重點領(lǐng)域。
電子陶瓷是指應(yīng)用于電子工業(yè)中制備各種電子元器件的陶瓷材料，主要以氧化物或氮化物粉末等無機非金屬材料為主要成分進行燒結(jié)，通過結(jié)構(gòu)設(shè)計、精確的化學(xué)計量、合適的成型方法和燒成制度，使其具備機械強度高、絕緣電阻高、耐高溫高濕、抗輻射、電容量變化率可調(diào)整等優(yōu)良特性。其中，精細(xì)氧化鋁是生產(chǎn)電子陶瓷基片、陶瓷封裝材料、電真空管殼、HTCC陶瓷等電子陶瓷元器件的主材之一，亦是生產(chǎn)MLCC等陶瓷產(chǎn)品的輔助材料。
電子陶瓷器件對尺寸精度、絕緣性、強度、密度等指標(biāo)要求高，生產(chǎn)流程長且復(fù)雜，在材料、工藝、設(shè)備等方面形成較高壁壘，尤其是電子陶瓷粉體配置尤為重要，粉體配方中純度、顆粒大小、化學(xué)成分、結(jié)構(gòu)分布等的細(xì)微改變都可能影響到電子陶瓷器件的電性能、強度、密度、抗衰、耐磨性等，而精細(xì)氧化鋁粉體是大部分電子陶瓷粉體配方中的主材，因此精細(xì)氧化鋁粉體的質(zhì)量和穩(wěn)定性直接決定了電子陶瓷器件的質(zhì)量和可靠性。
Taimicron是采用戴美化學(xué)多年培育的鋁化合物合成技術(shù)生產(chǎn)的高純度、超細(xì)精細(xì)陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
銨鈉鋁石（NH
目的
高強耐磨材料
人造骨、牙科材料、軸承等。電子材料
IC基板、半導(dǎo)體制造夾具、傳感器等光學(xué)材料
透光陶瓷、紅寶石、YAG等其他
各種填料、合成尖晶石、催化劑載體等
低溫?zé)Y(jié)氧化鋁
燒結(jié)用太微粉是一種高純度α-氧化鋁粉末，由于其初級顆粒細(xì)小且單晶，可以在極低的溫度下燒結(jié)致密化。
■特點
99.99%以上的高純度超細(xì)粉。
它在低溫下燒結(jié)并致密化。
經(jīng)過1250℃至1300℃燒成，致密化至理論密度的98%以上。可以獲得表現(xiàn)出氧化鋁原有性能的優(yōu)異燒結(jié)體。
陶瓷具有高強度、高硬度、優(yōu)異的耐磨性和耐腐蝕性。可以容易地獲得半透明陶瓷
可以通過HIP燒結(jié)等獲得半透明陶瓷。
■典型特性值
| 年級 | 超濾膜 | TM-DA | TM-DAR | TM-5D | |
| 晶型 | α-氧化鋁 | α-氧化鋁 | α-氧化鋁 | α-氧化鋁 | |
| BET比表面積 | 平方米/克 | 17.0 | 12.5 | 13.5 | 9.0 |
| 一次粒徑*1 | 微米 | 0.09 | 0.12 | 0.12 | 0.20 |
| 靜態(tài)堆積密度 | 克/立方厘米 | 0.8 | 0.8 | 0.9 | 0.8 |
| 振實密度 | 克/立方厘米 | 1.0 | 0.9 | 1.0 | 1.1 |
| 成型密度*2 | 克/立方厘米 | 2.3 | 2.2 | 2.3 | 2.3 |
| 燒結(jié)密度 | 克/立方厘米 | 3.93 *3 | 3.95 *4 | 3.96 *4 | 3.93 *5 |
*1：根據(jù)SEM照片測量 *2：單軸壓制成型（98MPa）
*3：1250℃ *4：1350℃ *5：1400℃（在空氣中各燒成1小時）
過渡型氧化鋁
主相為γ和θ的氧化鋁。
■特點
具有極細(xì)顆粒和大比表面積的粉末。
它具有高活性和優(yōu)異的反應(yīng)活性。
■典型特性值
| 年級 | TM-100 | TM-300 | TM-100D | TM-300D | |
| 晶型 | θ-氧化鋁 | γ-氧化鋁 | θ-氧化鋁 | γ-氧化鋁 | |
| BET比表面積 | 平方米/克 | 120 | 220 | 120 | 200 |
| 一次粒徑*1 | 微米 | 0.014 | 0.007 | 0.014 | 0.010 |
| 靜態(tài)堆積密度 | 克/立方厘米 | 0.15 | 0.05 | 0.40 | 0.40 |
| 振實密度 | 克/立方厘米 | 0.18 | 0.08 | 0.60 | 0.60 |
*1：根據(jù) BET 值計算