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產(chǎn)品介紹：

狹縫涂布設(shè)備 Slot-Die

• 多段式供液，涂布膜層均勻性高

• 通過3個(gè)激光傳感器，實(shí)現(xiàn)快速自動(dòng)對刀、防撞刀

• 搭配高精度注液泵

• 可采用鈣鈦礦溶劑驗(yàn)收

技術(shù)參數(shù)：


真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

技術(shù)特點(diǎn)：

• 集成閃蒸和退火工藝，成膜環(huán)境和成膜過程高度可控

• 大面積樣品退火受熱均勻，保證相變一致性

• 快速去除濕膜中的殘余溶劑，均勻的過飽和

• 變頻調(diào)速羅茨泵實(shí)現(xiàn)抽氣速率可控

技術(shù)參數(shù)：


激光劃刻設(shè)備 Laser Scriber

技術(shù)特點(diǎn)：

• P1、P2、P3飛秒、皮秒紅外激光可選

• 高度定制化，膜面/玻璃面劃刻可選，平頂光斑可選

• 精度高，具備逐線功能，線間距小

• 工藝成熟，邊緣光潔，無火山環(huán)及毛邊

技術(shù)參數(shù)：


蒸鍍設(shè)備 Evaporation System

技術(shù)特點(diǎn)：

• 多源共蒸，實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜

• 熱場和溫控精確

技術(shù)參數(shù)：


原子層沉積設(shè)備 Atomic Layer Deposition

技術(shù)特點(diǎn)：

• 精確控制薄膜厚度

• 薄膜均勻性高

• 溫控精度高

• 全自主工藝腔室設(shè)計(jì)，空間型和時(shí)間型可選，多片和單片可選

技術(shù)參數(shù)：



磁控濺射設(shè)備  Sputtering System

技術(shù)特點(diǎn)：

• 工藝穩(wěn)定性高

• 自研氧化鎳反應(yīng)濺射控制器

• ITO/NiOx靶采用圓柱靶，靶材利用率高

• 靶-基距可調(diào)，低損傷TCO導(dǎo)電膜鍍膜

技術(shù)參數(shù)：