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利用 ICP-MS 對太陽能（光伏）級硅塊進(jìn)行超痕量分析
閱讀：481 發(fā)布時間：2019-12-5| 提 供 商 | 上海斯邁歐分析儀器有限公司 | 資料大小 | 182.5KB |
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本文介紹了一種使用 Agilent 7500cs ICP-MS 測定光伏級硅中存在的超痕量 元素雜質(zhì)的新型定量方法。硼（揮發(fā)性元素）和磷（受 Si 基干擾）對該行 業(yè)尤其重要；因此，為了利用 ICP-MS 分析這些元素，應(yīng)特別注意樣品預(yù)處 理階段。在驗證樣品前處理策略的過程中，所有元素均獲得了良好的回收 率。提供了 13 種不同 Si 樣品中存在的一系列元素的示例數(shù)據(jù)，以及檢測限 列表?？梢詼y定固體中低至 ppb 級的 B 和 P，并可以測量 ppt 級所研究的其 他元素。
有關(guān)替代能源的研究正在不斷加速推進(jìn)，其中發(fā)展的領(lǐng)域之一是太陽能器件的開發(fā)。根據(jù)“宏偉太陽能計 劃”，到 2050 年，美國總電量中的 69% 將來源于太陽 能（《科學(xué)美國人》(Scientific American)，2008 年 1 月）。對太陽能器件的需求不斷增長，迫切需要高效 能量轉(zhuǎn)換器（主要含硅）。太陽能（或光伏）級硅的雜 質(zhì)（特別是硼和磷）控制對成品器件的效率至關(guān)重要。 過去，利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜 (ICP-OES) 對磷 進(jìn)行分析，為獲得更低的檢測限 (DL)，需要采用更靈敏 的方法。本研究介紹了樣品前處理以及使用 Agilent 7500cs 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀 (ICP-MS) 對硅塊（用 于制造太陽能硅器件）中 31 種分析物的分析。