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InGaAs和Ge紅外探測器的差異

閱讀:2536      發(fā)布時間:2020-8-19
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InGaAs和Ge紅外探測器的差異

 

InGaAs和Ge光電二極管探測器都普遍應用于紅外(近紅外)波段。Newport提供各種可溯源NIST的InGaAs和Ge探測器(例如:低功率校準光電二極管探測器918D和818系列)。這些探測器的參數很相近,除了一些關鍵部分:如分流電阻和芯片電容。然而,這些差異導致了很大的性能和價格差異。

 

分流電阻

分流電阻hao是無限大,但是每個光電二極管有一個有限值,產生Johnson噪聲,這個Johnson噪聲跟分流電阻成反比。因此,為了小化噪聲,需要在測量系統(tǒng)中設計大可能的電阻值。Ge和InGaAs有所不同,InGaAs探測器的分流電阻達到10M?量級,而Ge探測器的分流電阻在k?量級,小了若干個量級。因此,Ge探測器會比InGaAs探測器呈現出更高的噪聲。

 

有效面積越大越好?

有些廠商的Ge探測器有效面積很大,但用戶們需注意,更大的有效面積會導致更大的暗電流和更小的分流電阻,越小的分流電阻會引起更高的熱噪聲,越大的暗電流會引起更高的散粒噪聲。Ge的暗電流比InGaAs的暗電流高很多,大的有效面積可能引入高噪聲電流。Newport的Ge探測器的有效面積為3mm,相比于5mm的二極管,如果其他都相同,3mm二極管的分流電阻值會大3倍,而暗電流則小3倍。

 

Newport 918D/818系列InGaAsGe探測器的參數對比

 

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