Nano-Master的遠(yuǎn)程微波等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，包含：

基片或粉體的等離子誘導(dǎo)表面改性

等離子清洗

粉體或顆粒表面等離子聚合

SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜

CNT和石墨烯的選擇性生長

單晶或多晶金剛石生長

微波模塊：NANO-MASTER高質(zhì)量長壽命遠(yuǎn)程微波源，頻率為2.45GH，微波發(fā)射功率可以自主調(diào)節(jié)，微波反射功率可通過調(diào)節(jié)降低至發(fā)射功率的千分之一以內(nèi)。遠(yuǎn)程微波源，可實現(xiàn)無損傷缺陷的沉積或生長。

設(shè)備腔體：水冷側(cè)壁，確保在高溫工藝下腔體外表面溫度控制在60℃內(nèi)；在高溫工藝進行過程中，等離子體被束縛在有限的體積內(nèi)，不會對腔體造成刻蝕。

樣品臺：可自動加熱到最高1200℃，PID精確控制，精度±1℃，跟微波電源的加熱獨立。高溫工藝下可持續(xù)旋轉(zhuǎn)，主動冷卻。具有自動升降功能，可針對自動Load Unload下降樣品臺便于片托自動取出。

溫度模塊：通過系統(tǒng)參數(shù)實現(xiàn)襯底溫度精確控制,在穩(wěn)定的工藝過程中溫度浮動不超過±10℃。利用雙波長高溫計實現(xiàn)對襯底的非接觸式溫度測量；樣品臺內(nèi)部通過熱電偶測量。

氣體控制：根據(jù)需求最多可配置8路工藝氣體，配備吹掃氣路，利用氮氣或是氬氣對管路吹掃。淋浴頭和氣體環(huán)均勻設(shè)計，使得氣體在高溫工作狀態(tài)下成分均一，流速穩(wěn)定，不會對襯底造成擾動。

真空模塊：腔室的極限真空度可達1*10-5Pa

樣品傳送模塊：系統(tǒng)可以支持自動Load Lock實現(xiàn)計算機控制的自動進樣和出片

控制模塊：配備計算機控制系統(tǒng)，詳細(xì)記錄工藝過程中各項參數(shù)。具備安全互鎖功能及4級密碼授權(quán)訪問控制。

以遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)沉積金剛石薄膜為例，從甲烷、氫氣或氬氣的氣體混合物中將多晶金剛石薄膜沉積到襯底上。沉積過程中的基片溫度通常為800~900°C，通過雙波長高溫計測量。甲烷、氫氣和氬氣的濃度、功率和壓力值可以改變，以產(chǎn)生各種金剛石膜紋理。因金剛石的許多特性：如化學(xué)惰性和穩(wěn)定性，高導(dǎo)熱性，高聲速，高斷裂強度，疏水性，耐磨性，生物惰性，其表面可功能化，并涂覆保形性等，使其成為許多應(yīng)用的選擇。應(yīng)用包括MEMS/NEMS器件、摩擦學(xué)（機械和生物部件涂層）、熱（散熱器/擴散器）、切割工具、輻射傳感器（電離輻射探測器/劑量計）、電化學(xué)應(yīng)用（生化傳感器）、光學(xué)（紅外窗口、透鏡、X射線窗口）和離子束剝離箔。