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北京中慧天誠科技有限公司

晶閘管dv原理

時間：2023-3-24閱讀：485
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本儀器是晶閘管斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt參數(shù)的測試設備。適用于交流固態(tài)繼電器、晶閘管、雙向可控硅以及可控硅型光電耦合器的dv/dt參數(shù)測試。
2.本測試儀采用單片機控制，能夠對測試條件及測試數(shù)據(jù)進行運算；從而使得測試結果能夠直接讀出，免去了繁瑣的查表和運算。
3.單片機的數(shù)據(jù)處理和優(yōu)化功能，降低了電路分布參數(shù)對測量結果的影響，使得測試結果準確。
4.由于該儀器的時間常數(shù)調(diào)整范圍大、檔位密集，對測試電壓、時間常數(shù)和測量結果進行數(shù)字顯示，從而使得儀器的測量精度%高、操作%加簡便和快捷。
5.其檢測原理采用JB/T7626-1994標準推薦的方法。是固態(tài)繼電器、電力半導體晶閘管生產(chǎn)廠家和使用單位常用的檢測設備。
，參數(shù)：
測試輸出電壓：2kV±5%
電壓測量誤差：±（讀數(shù)×2%+1）V
時間常數(shù)調(diào)整范圍：0.25-8μS
斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt測量范圍：0-4000V/μS
工作電源：AC 220V±10% 50Hz
工作溫度：0-40℃
整機功耗：小于150VA
整機尺寸：370×390×170mm
整機重量：11Kg


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