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目錄:深圳市新瑪科技有限公司>>半導(dǎo)體C-V特性分析儀>>半導(dǎo)體參數(shù)測試系統(tǒng)>> 第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)

第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)
  • 第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)
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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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更新時間:2025-05-08 09:39:58瀏覽次數(shù):171評價

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KC-3105 第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)中可同時完成HTRB和DHTRB測試,整體架構(gòu)模塊化,通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣,系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計且功能豐富,在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行的同時,可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測試需求。

產(chǎn)品詳情

第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)

型      號:KC-3105

功能簡介

現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快,使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。與 HTRB高溫偏置試驗一 一對應(yīng),AQG324 該規(guī)定了動態(tài)偏置試驗,即動態(tài)高溫反偏(DHRB,Dynamic high-temperature reverse bias)

設(shè)備簡介

KC-3105第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)中可同時完成HTRB和DHTRB測試,整體架構(gòu)模塊化,通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣,系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計且功能豐富,在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行的同時,可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測試需求。

第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)

第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)優(yōu)勢

高溫高壓高精度:dv/dt>50v/ns、頻率50KHz;

高精度測試:電流分辨率10pA,電壓分辨率100nV;

多參數(shù)測量:Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、Igss漏電流、Idss漏電流、溫度;

多通道測試:高效率80通道測試,每個通道獨立控制,故障斷開及時,互不影響;

軟件功能

功能完備并有可擴(kuò)展性,基于Windows平臺開發(fā),配備工控機(jī)系統(tǒng);

數(shù)據(jù)管理功能完整,具有操作界面與上位機(jī),可實現(xiàn)數(shù)據(jù)自動保存與生成測試報告具有漏源極漏電流、溫度等檢測功能;

可對每一個測試器件獨立控制,包含開始、暫停、繼續(xù)、終止操作功能;

保存與記錄試驗數(shù)據(jù),過沖電壓、開關(guān)頻率、漏電流、溫度、故障信號、工作時長、漏源電壓變化率等。

參數(shù)測試

1、Vgsth測試條件: G,D和S之間加管子規(guī)定電流,測試G和S之間的電壓值;電壓值就是閥值電壓。

2、VSD測試條件: G和S之間加反向電壓,D和S之間加反向管子規(guī)定電流,測試D和S之間的電壓值;電壓值就是反向二極管導(dǎo)通電壓。

3、RDS測試條件: G和S之間加正向電壓,D和S之間加正向管子規(guī)定電流,測試D和S之前的電壓值;內(nèi)阻 Rds(mΩ)=Vds / Ids (DS之間電壓/DS流過的電流)。

4、Igss測試條件: G和S之間加管子規(guī)定電壓,D和S接0V,測試出流過G極的電流就是Igss漏電流;

5、Idss測試條件: D和S之間加管子規(guī)定電壓,G和S接0V,測試出流過D極的電流就是Idss漏電流;

老化測試

一、DRB  動態(tài)反偏

1.試驗時長time: ≥1000h

2.試驗溫度temp: 25℃

3.漏源電壓VDS: ≥0.8Vdsmax

dVDS/dt 取 50V/ns,f≥25kHz; 

4.柵源電壓VGS:0V or VGSmin

二、DGB  動態(tài)柵極反偏

1.試驗時長time:為10^11次循環(huán)

2.試驗溫度temp:25℃

3.漏源電壓VDS:0V

4.柵極電壓VGS:VGS=VGSmax至VGS min,dVGS/dt 取 1V/ns,f≥50kHz

三、HTRB  高溫反偏

1.試驗時長time:≥1000h

2.試驗溫度temp:最高結(jié)溫

3.漏源電壓VDS:≥0.8Vdsmax

4.柵源電壓VGS:0V or VGSmin

四、HTGB  高溫柵極反偏

1.試驗時長:≥1000h

2.試驗溫度:最高結(jié)溫

3.VDS漏源電壓:0V

4.柵極電壓:VGS=VGSmax(正柵極電壓測量50%DUT)   VGS=VGSmin(負(fù)柵極電壓測量50%DUT)

保護(hù)功能

上電自測:可實現(xiàn)器件防呆,電路狀態(tài);

保護(hù)功能:對于帶電、高溫開箱、過溫、測試電參數(shù)異常、驅(qū)動電路故障等可實現(xiàn)保護(hù)功能;

故障隔離:可實現(xiàn)組間的獨立性控制,出現(xiàn)故障斷開及時,不影響其他器件工作。

第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)

系統(tǒng)構(gòu)成圖

參考標(biāo)準(zhǔn)

AQG 324 機(jī)動車輛電力電子轉(zhuǎn)換器單元用功率模塊的驗證

AEC Q101車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測試驗證

軟件界面

   

技術(shù)參數(shù)

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