目錄:環(huán)球君業(yè)（北京)科技有限公司>>光電化學(xué)>> 光電化學(xué)循環(huán)伏安測試
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 電化學(xué)工作站 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
大多數(shù)情況下，我們認(rèn)為參比電極（RE）和工作電極（WE）之間施加的電壓就是在工作電極上施加的電壓。如圖一所示。
但是在光電化學(xué)循環(huán)伏安測試實(shí)際測試體系情況下，由于電解液存在一定的電阻Ru，Ru是參比電極到工作電極表面電雙層（doublelayer）一邊的溶液電阻。根據(jù)歐姆定律，這個(gè)Ru就會產(chǎn)生一定壓降，壓降的大小為Vir=I*Ru。這樣就造成工作電極上的實(shí)際電壓和相對參比電極而施加的電壓有所不同。如圖二所示。 
補(bǔ)償電阻Ru的大小可以通過直流電流快速遮斷法或者采用EIS方法進(jìn)行測試。EIS要比直流電流快速折斷法更確定。電流快速折斷方法是早期沒有AC技術(shù)的時(shí)候出現(xiàn)的。自從有AC技術(shù)之后，EIS成為選擇的測試技術(shù)。使用EIS技術(shù)時(shí)，測試1K-100KHz頻率范圍內(nèi)的交流阻抗譜。在高頻區(qū)，相位為零時(shí)的阻值就是要補(bǔ)償?shù)碾娊庖弘娮鑂u，如圖三所示。 
下面使用Zahner的Zennium系列電化學(xué)工作站做一些實(shí)際測試。測試時(shí)使用圖四所示的模擬元件電路。 
果和實(shí)際電路*一樣（考慮元件誤差）。Ru=100?，Rp=1995?,電容為993.8nF.如圖五所示。 
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