高壓加速老化試驗箱測試半導體器件可靠性方法
一、前言：
在半導體器件的研發(fā)與生產過程中，確保其性能的可靠性和穩(wěn)定性至關重要。高壓加速老化試驗箱能夠模擬各種惡劣環(huán)境條件，通過對半導體器件施加高電壓和高溫等應力，快速暴露潛在的缺陷和故障，大大縮短了產品可靠性驗證的時間。
二、測試流程：
樣品準備：選擇一定數量且型號規(guī)格相同的半導體器件作為測試樣品，確保樣品外觀無明顯損傷、引腳無變形等。對每個樣品進行編號，記錄初始參數，如正向導通電壓、反向漏電流等。
試驗箱設置：根據半導體器件的特性和測試要求，設置高壓加速老化試驗箱的參數。包括設定老化電壓，一般為器件額定電壓的 1.5 - 2 倍；老化溫度，通常在 100 - 150℃之間；老化時間，可根據實際情況設定為 24 小時、48 小時或更長。
樣品安裝：將編號后的半導體器件小心安裝在試驗箱的樣品架上，確保器件引腳與測試夾具連接牢固，避免虛接影響測試結果。
測試過程：啟動試驗箱，開始老化測試。在老化過程中，每隔一定時間（如 1 小時）對樣品進行一次參數測量，記錄正向導通電壓、反向漏電流、結溫等參數變化。若發(fā)現某個樣品參數超出正常范圍，應立即標記并記錄相關情況。
測試結束：達到設定的老化時間后，關閉試驗箱，待溫度降至室溫后，取出樣品。再次對所有樣品進行全面參數測量，并與初始參數進行對比分析，評估器件的老化性能。
測試數據參考：
樣品編號 | 初始正向導通電壓 (V) | 老化 1 小時正向導通電壓 (V) | 老化 2 小時正向導通電壓 (V) | 老化 3 小時正向導通電壓 (V) | 老化結束正向導通電壓 (V) | 初始反向漏電流 (A) | 老化 1 小時反向漏電流 (A) | 老化 2 小時反向漏電流 (A) | 老化 3 小時反向漏電流 (A) | 老化結束反向漏電流 (A) | 初始結溫 (℃) | 老化 1 小時結溫 (℃) | 老化 2 小時結溫 (℃) | 老化 3 小時結溫 (℃) | 老化結束結溫 (℃) |
1 | 0.70 | 0.71 | 0.72 | 0.73 | 0.75 | 1.00×10?? | 1.20×10?? | 1.50×10?? | 1.80×10?? | 2.20×10?? | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 |
2 | 0.71 | 0.72 | 0.73 | 0.74 | 0.76 | 1.10×10?? | 1.30×10?? | 1.60×10?? | 1.90×10?? | 2.30×10?? | 31 | 41 | 51 | 61 | 71 |
3 | 0.69 | 0.70 | 0.71 | 0.72 | 0.74 | 0.90×10?? | 1.10×10?? | 1.40×10?? | 1.70×10?? | 2.10×10?? | 29 | 39 | 49 | 59 | 69 |
