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產(chǎn)品展廳

產(chǎn)品求購企業(yè)資訊會展

發(fā)布詢價(jià)單

化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>集成電路測試與分選設(shè)備>信號測試系統(tǒng)/半導(dǎo)體測試機(jī)>BW-4022C 光耦晶振綜合測試系統(tǒng)

BW-4022C 光耦晶振綜合測試系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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陜西博微電通科技有限責(zé)任公司是一家致力于高精度半導(dǎo)體測試設(shè)備、電力電子設(shè)備、電池安全管理系統(tǒng)及電力儲能解決方案的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)。

公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿(mào)區(qū),地理位置環(huán)境*,依托西安眾多高校及研究所,公司擁有一批高素質(zhì)人才隊(duì)伍,從軟件開發(fā)、硬件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成、產(chǎn)品升級迭代及售后服務(wù)均由專業(yè)技術(shù)人員完成,多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對半導(dǎo)體測試、電力電子、能源管理系統(tǒng)系列產(chǎn)品,經(jīng)過技術(shù)迭代,產(chǎn)品功能全面,產(chǎn)品質(zhì)量可靠,市場口碑優(yōu)秀。

   公司注重產(chǎn)品質(zhì)量,注重客戶服務(wù)滿意度及產(chǎn)品體驗(yàn),每一款產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過嚴(yán)格的檢驗(yàn)或第三方機(jī)構(gòu)監(jiān)測,并持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品功能、根據(jù)客戶需求定制或迭代升級產(chǎn)品。我們秉承“博厚共贏、服務(wù)入微”理念竭誠為每一位客戶提供可靠的、高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù),幫助解決客戶實(shí)際使用痛點(diǎn),開發(fā)難點(diǎn),節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率,助力行業(yè)發(fā)展。

半導(dǎo)體測試系統(tǒng):(Semiconductor test system)

針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導(dǎo)體測試產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體企業(yè)測試計(jì)量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學(xué)、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈的來料檢驗(yàn)、器件選型及科研及院所、實(shí)驗(yàn)室的數(shù)據(jù)驗(yàn)證分析和研發(fā)指導(dǎo)等。

半導(dǎo)體測試設(shè)備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測試(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))測試精度可達(dá)16位ADC;動態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等;環(huán)境老化測試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 )及熱特性測試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導(dǎo)體器件測試設(shè)備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數(shù)測試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測試SOA,各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機(jī)系統(tǒng)等。

電池安全管理及儲能:(Battery safety management and energy storage system)

電池安全管理系統(tǒng)主要是針對電池、蓄電池組、儲能系統(tǒng)安全及應(yīng)用電池全生命周期系統(tǒng)解決方案,主要產(chǎn)品覆蓋儲能電池BMS、后備電池BMS、動力電池BMS和電池監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)平臺等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于儲能,云計(jì)算,數(shù)據(jù)中心,通信網(wǎng)絡(luò),軌道交通,以及商業(yè)和工業(yè)設(shè)施關(guān)鍵電源領(lǐng)域,將成為國家綠色能源轉(zhuǎn)型重要系統(tǒng)保障。

 

 

半導(dǎo)體測試設(shè)備,功率器件可靠性測試,熱特性安全測試,儲能及電力能源安全管理系統(tǒng)


BW-4022C


半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)


BW-4022C半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)可同時(shí)針對:

【光耦】

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進(jìn)行測試。

【二極管】

〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進(jìn)行測試。

【壓敏電阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進(jìn)行測試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓(Vbt)/負(fù)載電壓(Vbt_load )  /測試電流(0-10A 恒流 )/負(fù)載電壓變化值(▲Vbt_load)/電池內(nèi)阻(Vbt Res)  測試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻(Ri)/頻率精度(Freq_ppm)/測試頻率范圍(10kHz~10MHz)等測試。

【其他測試功能可定制拓展】

BW-4022C半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)是針對于半導(dǎo)體器件開發(fā)專用測試的系統(tǒng),經(jīng)我公司產(chǎn)品升級與開發(fā),目前亦可以對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進(jìn)行參數(shù)測試,性能、精度、測試范圍均滿足客戶測試需求,可用于客戶端來料檢驗(yàn)、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測設(shè)備之一。

BW-4022C 半導(dǎo)體綜合測試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設(shè)計(jì), PC 中文操作界面,程控軟件基于 Lab VIEW 平臺, 填充調(diào)用式菜單操作界面,測試界面簡潔 靈活、人機(jī)界面友好。配合開爾文綜合集成測試插座,根據(jù)不同器件更換測試座配合,系統(tǒng)可適配設(shè)置完成對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測試。

該測試系統(tǒng)主要由測試主機(jī)和程控電腦及外部測試夾具三部分組成,并接受客戶端MES系統(tǒng)進(jìn)行測試指令:方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行,并可將測試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。

一、 設(shè)備規(guī)格與環(huán)境要求

物理規(guī)格

主機(jī)尺寸:深 660*寬 430*高 210(mm) 臺式

主機(jī)重量:<25kg

產(chǎn)品色系:白色系

工況環(huán)境

主機(jī)功耗:<300W

海拔高度:海拔不超過 1500m;

環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);

相對濕度: 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下);

大氣壓力:86Kpa~106Kpa;

防護(hù)條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等;

供電要求

電源配置:AC220V±10%、50Hz±1Hz;

工作時(shí)間:連續(xù);

二、測試種類與技術(shù)指標(biāo)

1、光耦測試:

輸入(Input)相關(guān)參數(shù)

· 正向電壓(Forward Voltage)

· 符號:Vf    · 最小值  · 典型值:1.2 V  · MAX值:1.4 V  · 單位:V  · 測試條件:If=20mA

· 反向電流(Reverse Current)

· 符號:Ir  · 最小值:無  · 典型值:無  · MAX值:10 μA  · 單位:μA   · 測試條件:Vr=4V

輸出(Output)相關(guān)參數(shù)

· 集電極暗電流(Collector Dark Current)

· 符號:Iceo  · 最小值:無  · 典型值:無  · MAX值:100 nA   · 單位:nA   · 測試條件:Vce-20V,If=0

· 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(Collector-Emitter Breakdown Voltage)

· 符號:BVceo  · 最小值:80 V   · 典型值:無   · MAX值:無  · 單位:V   · 測試條件:Ic-0.1mA,If=0

· 發(fā)射極 - 集電極擊穿電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage)

· 符號:BVeco   · 最小值:6 V  · 典型值:無  · MAX值:無  · 單位:V   · 測試條件:Ie-10μA,,If=0

· 集電極電流(Collector Current)

· 符號:Ic  · 最小值:2.5 mA  · 典型值:無  · MAX值:30 mA  · 單位:mA  · 測試條件:If=5mA,Vce-5V

· 電流傳輸比(Current Transfer Ratio)

· 符號:CTR  · 最小值:50 %  · 典型值:無  · MAX值:600 %  · 單位:%  · 測試條件:If=5mA,Vce-5V

傳輸特性(TRANSFER CHARACTERISTICS)相關(guān)參數(shù)

· 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(Collector-Emitter Saturation Voltage)

· 符號:Vce  · 最小值:無  · 典型值:0.1 V  · MAX值:0.2 V  · 單位:Vbv  · 測試條件:If=20mA,Ic-1mA

· 隔離電阻(Isolation Resistance)

· 符號:Riso  · 最小值: Ω  · 典型值: Ω  · MAX值:無  · 單位:Ω  · 測試條件:DC500V, 40 - 60% R.H.

(以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù))

· 三極管管型光耦

測試參數(shù)

符號

量程

測試范圍

測試條件

測量精度

輸入正向?qū)▔航?/span>

Vf1

0-10V

+-10V

0-4A

1%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓(耐壓)

Bvceo1 Bveco1

1

+-1V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Iceo1 Ir1

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-7nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30uA



輸出導(dǎo)通壓降

Vce(sat)1

0-10V

+-10V


1%+FullRange0.1%+-2mV

輸入輸出電流傳輸比


2

600


1%+FullRange0.5%+-5

3

6000


1%+FullRange0.5%+-10



4

60000


1%+FullRange0.5%+-20









· 可控硅光耦

測試參數(shù)

符號

量程

測試范圍

測試條件

測量精度

輸入正向?qū)▔航?/span>

Vf1

0-10V

+-10V

0-4A

1%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓(耐壓)

輸入觸發(fā)電流

Vdrm  vrrm

ift

1

+-1V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流


irrm idrm ir1


1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-7nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30uA








1%+FullRange0.1%+-2mV

輸入LED正向壓降

輸出導(dǎo)通壓降


Vf1

vtm

0-10V

+-10V


1%+FullRange0.5%+-5

0-10V

+-10V


1%+FullRange0.5%+-10



0-400ma



1%+FullRange0.5%+-20




vih






ih






IL






C_vtm






· 繼電器光耦

測試參數(shù)

符號

量程

測試范圍

測試條件

測量精度

輸入正向?qū)▔航?/span>

Vf1

0-10V

+-10V

0-4A

1%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓(耐壓)

VL1

VL2


1

+-1V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Ir1

Ir2

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-7nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30uA



輸出導(dǎo)通內(nèi)阻

ROn1

ROn2

0-10V

+-10V

0-40A

1%+FullRange0.1%+-2mV

輸入輸出電流傳輸比


2

600


1%+FullRange0.5%+-5

3

6000


1%+FullRange0.5%+-10



4

60000


1%+FullRange0.5%+-20



























2、二極管類測試

· 二極管類:二極管

· Diode

· Kelvin ,Vrrm ,Irrm ,Vf ,△Vf ,△Vrrm ,Tr(選配);

二極管類:穩(wěn)壓二極管

· ZD(Zener Diode)

· Kelvin ,Vz ,lr ,Vf ,△Vf ,△Vz ;

二極管類:穩(wěn)壓二極管

· ZD(Zener Diode)

· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz;

二極管類:三端肖特基二極管 SBD(SchottkyBarrierDiode)

· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm;

二極管類: 瞬態(tài)二極管

· TVS

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm  ;

二極管類:整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;

二極管類:三相整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;

測試參數(shù)

符號

量程

測試范圍

測試條件

測量精度

正向?qū)▔航?/span>

VF1 VF2 VF3 VF4 VF5  VF6

0-10V

+-10V

0-40A(選配)

0-100A(標(biāo)配)

0-200A(選配)

0-300A(選配)

0.5%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓(耐壓)

Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5  Vrrm6

1

+-1V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5  Irrm6

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-5nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30uA


























3、壓敏電阻測試

· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;(參數(shù)配置精度與二極管一致)

測試參數(shù)

符號

量程

測試范圍

測試條件

測量精度

正向?qū)▔航?/span>

VF1 VF2 VF3 VF4 VF5  VF6

0-10V

+-10V

0-40A(選配)

0-100A(標(biāo)配)

0-200A(選配)

0-300A(選配)

0.5%+FullRange0.1%+-2mV

壓敏電壓(1mA)

Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5  Vrrm6

1

+-1V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5  Irrm6

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-5nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30uA


























4、鋰亞電池測試

· Kelvin(0~150mV)

· 電池空載電壓(Vbt)  0-100V  +-0.2%

· 負(fù)載電壓(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  測試電流(0-10A 恒流 )

· 負(fù)載電壓變化值(▲Vbt_load)0-10v +-5% 測試電流(0-10A 恒流 )

· 電池內(nèi)阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  測試電流(0-10A 脈沖 )

5、晶振測試

· 震蕩頻率(Freq_osc )

· 諧振電阻(Ri)

· 頻率精度(Freq_ppm)

· 測試頻率范圍(10kHz~10MHz)

測試參數(shù)

符號

量程

測試范圍

測試條件

測量精度

震蕩頻率

Fosc

10kHz~100kHz

100kHz~1MHz

1MHz~5MHz

5MHz~10MHz

10kHz~10MHz


0.1Hz

諧振電阻

Rz

0~100K



±10%

頻率精度

ppm


0-1000


0.01%






三、參數(shù)配置與性能指標(biāo)

1. 電流/電壓源 VIS自帶VI測量單元

1)加壓(FV)

量程

分辨率

精度

±40V

19.5mV

± 1%設(shè)定值+FullRange0.1%± 19.5mV

±20V

10mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10mV

±10V

5mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±5mV

±5V

2mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV

±2V

1mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV







2)加流(FI):

量程

分辨率

精度

±100A

195mA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±100mA

±40A

19.5mA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±30mA

±4A

1.95mA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mA

±400mA

119.5uA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200uA

±40mA

11.95uA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20uA

±4mA

195nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA

±400uA

19.5nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA

±40uA

1.95nA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2nA

說明:電流大于1.5A自動轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出,脈寬范圍:300us-1000us可調(diào)

3). 電流測量(MI)

量程

分辨率

精度

±100A

12.2mA

±5% 讀數(shù)值+FullRange0.2%±100mA

±40A

1.22mA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mA

±4A

122uA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mA

±400mA

12.2uA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uA

±40mA

1.22uA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uA

±4mA

122nA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2uA

±400uA

12.2nA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200nA

±40uA

1.22nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20nA









4). 電壓測量(MV)

量程

分辨率

精度

±40V

1.22mV

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV

±20V

122uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV

±10V

12.2uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV

±5V

1.22uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV










2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM    (16位ADC,100K/S采樣速率)

1). 電壓測量(MV)

量程

分辨率

精度

±2000V

1.22mV

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV

±100V

122uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV

±10V

12.2uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV

±1V

1.22uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV






2). 漏電流測量(MI)

量程

分辨率

精度

±100mA

30uA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30uA

±10mA

3uA

±1%   讀數(shù)值+FullRange0.1%±3uA

±1mA

300nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±300nA

±100uA

30nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30nA

±10uA

3nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA

±1uA

300pA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA

±100nA

30pA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±5nA














3. 高壓源  HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)

量程

分辨率

精度

2000V/10mA

30.5mV

±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

200V/10mA

30.5mV

±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

40V/50mA

30.5mV

±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV









2).加流(FI):

量程

分辨率

精度

10mA

4.88uA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10uA

2mA

488nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2uA

200uA

48.8nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA

20uA

4.88nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA

2uA

488pA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10nA









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