1. 產(chǎn)品概述

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐，優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)。

2. 設備用途/原理

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐，優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)，高精度溫度場控制技術，優(yōu)良的顆?？刂萍夹g，可靠的氫氣工藝能力技術，高產(chǎn)能。

3. 設備特點

晶圓尺寸 12 英寸，適用材料硅。適用工藝 低壓合金、金屬 / 非金屬退火、薄片退火。適用域  新興應用、集成電路、優(yōu)良封裝。退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的?？梢约訜峋约せ顡诫s劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結(jié)構(gòu)，采用纖維結(jié)構(gòu)，節(jié)電60%。