ME-210-T膜厚測量儀
- 公司名稱 北京歐屹科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地 日本
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2025/1/24 10:58:59
- 訪問次數(shù) 2707
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| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 1萬-5萬 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 | 組成要素 | 半導體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 |
ME-210-T膜厚測量儀適用透明基板的高速Mapping橢偏儀，可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。
橢偏儀為一種光學系膜厚測量裝置，膜厚測量儀這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜，也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。
ME-210-T膜厚測量儀用了本公司*的偏光Senor 技術(shù)，將不能變?yōu)榭赡?，以往的技術(shù)是無法測量0.5mm厚的玻璃基板，在這項技術(shù)下，可進行極薄膜的高精度測量，舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估，也可運用ME-210-T輕松達成。
ME-210-T的高精度膜厚分布資料，定會對先進的薄膜產(chǎn)品的生產(chǎn)有的用途。
特點
1，高效的測量速度（每分約1000點：）可短時間內(nèi)取得高密度的面分布數(shù)據(jù)。
2，微小領(lǐng)域量測（20un左右）可簡單鎖定&測量任一微小區(qū)域。
3，可測量透明基板
適用于解析玻璃基板上的極薄膜。
測量實例
涂布膜邊緣擴大測量
可階段性擴大微小領(lǐng)域，然后獲得詳細的膜厚分布數(shù)據(jù)。
GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量
縮小膜厚顯示范圍，膜厚差距不大的樣品，也可以簡單評估、比較其分布狀況。
設(shè)備參數(shù)
項目 | 規(guī)格 |
光源 | 半導體激光（636nm、class2） |
小測量領(lǐng)域 | 廣域模式：0.5mm×0.5mm |
高精細模式：5.5um×5.5um | |
入射角 | 70『deg』 |
測量再現(xiàn)性 | 膜厚：0.1nm 折射率：0.001 ※1 |
大測量速度 | 1000point/min（廣域模式） |
5000point/min（高精密模式） | |
載物臺 | 行程：XY200mm以上 大移動速度：約40mm/scc |
尺寸/重量 | 約650×650×1740mm（W×D×H）/約200kg |
電源 | AC100V |
備注 | ※1：此數(shù)值是以廣域模式測量SiO2膜（膜厚約100mm）其中一點，重復測量100次后的標準偏差值 |
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