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磁性電極無損轉(zhuǎn)移技術(shù)：開啟高性能自旋電子器件新紀(jì)元
2024年02月05日 13:26:58
來源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：14780
近日，科研團(tuán)隊(duì)在磁性電極無損轉(zhuǎn)移制備技術(shù)方面取得重要進(jìn)展。
【化工儀器網(wǎng) 項(xiàng)目成果】 在當(dāng)今的科技領(lǐng)域，自旋電子學(xué)作為一門新興學(xué)科，正以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)吸引著全球研究者的目光。自旋電子器件，利用電子的自旋而非電荷來存儲(chǔ)和傳輸信息，預(yù)示著一場(chǎng)信息技術(shù)的革命。近日，科研團(tuán)隊(duì)在磁性電極無損轉(zhuǎn)移制備技術(shù)方面取得重要進(jìn)展，這一成就為制造高性能自旋電子器件鋪平了道路。
磁性電極是自旋電子器件中的關(guān)鍵組成部分，它直接影響到器件的性能和效率。傳統(tǒng)的制備方法往往涉及到高溫或者強(qiáng)磁場(chǎng)等條件，這些條件可能會(huì)對(duì)磁性材料造成損傷，從而影響器件的整體性能。因此，開發(fā)一種無損的磁性電極轉(zhuǎn)移技術(shù)，對(duì)于提升自旋電子器件的性能至關(guān)重要。
由兩個(gè)鐵磁電極和非磁性中間層組成的垂直“三明治”結(jié)構(gòu)是自旋電子器件最典型的器件結(jié)構(gòu)。然而，現(xiàn)有頂部磁性電極直接沉積過程中，高動(dòng)能和熱能的電極金屬原子往往會(huì)侵染并損傷非磁性中間層，從而影響器件的性能和可重復(fù)性。為避免金屬電極直接沉帶來的界面金屬絲滲透和破壞脆弱中間層的問題，電極轉(zhuǎn)移技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。該技術(shù)依賴于金屬電極的預(yù)沉積并將其轉(zhuǎn)移到目標(biāo)材料上。然而，目前無論是濕法還是干法轉(zhuǎn)移技術(shù)都面臨嚴(yán)重挑戰(zhàn)。濕法轉(zhuǎn)移過程使用的溶劑往往會(huì)引入新的雜質(zhì)，造成額外散射中心；干法轉(zhuǎn)移過程產(chǎn)生的應(yīng)變會(huì)損傷鐵磁電極原本特性。
該研究中，孫向南團(tuán)隊(duì)通過使用高模量聚合物支撐薄膜，將鐵磁電極的應(yīng)變限制在極低水平，以確保在轉(zhuǎn)移過程中鐵磁電極的特性得以保持。該工作成功實(shí)現(xiàn)了鐵磁電極的高質(zhì)量轉(zhuǎn)移，其微觀形貌、電學(xué)、磁學(xué)等性質(zhì)在轉(zhuǎn)移前后均保持不變。通過這種無損轉(zhuǎn)移鐵磁電極的方法，構(gòu)建了界面均勻且無侵染的自旋電子器件，降低了界面處的自旋相關(guān)散射，提高了器件的性能和可重復(fù)性。此外，該技術(shù)還允許精確控制磁性電極的位置和方向，大大提高了自旋電子器件的集成度和可靠性。
無損轉(zhuǎn)移技術(shù)的開發(fā)不僅解決了傳統(tǒng)方法中的損傷問題，還為自旋電子器件的設(shè)計(jì)和制造提供了更大的靈活性。這意味著未來的自旋電子器件可以更加微型化，同時(shí)保持或提升性能。
(資料參考：中國(guó)科學(xué)報(bào))
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